18501309179

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      產(chǎn)品中心

      • BX-Y1249F1200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀
        BX-Y1249F1200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1249F

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時間

        2024-05-15

        瀏覽次數(shù)

        1549

        產(chǎn)品描述

        1200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)體材料電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)測量需求.常用于金屬類導(dǎo)體材料及非金屬類導(dǎo)體材料測量.
      • BX-Y1246200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1246200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1246

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時間

        2024-05-15

        瀏覽次數(shù)

        1321

        產(chǎn)品描述

        200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      • BX-Y1246A400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1246A400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1246A

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時間

        2024-05-15

        瀏覽次數(shù)

        1573

        產(chǎn)品描述

        400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      • BX-Y1246B600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1246B600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1246B

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時間

        2024-05-15

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        產(chǎn)品描述

        600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      • BX-Y1246C800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1246C800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1246C

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時間

        2024-05-15

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        產(chǎn)品描述

        800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
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